МЕНЮ САЙТА
Категории раздела
поиск
погода
|
Форма входа
.
Телефоны
"Антенна Плюс"
ул.Кирова,28
8-924-415-0506
Специалист по радиодеталям
доставка под заказ8-914-183-0844
Бухгалтер
8-914-178-1789
WhatsApp
+7-914-178-1789
+7-914-183-0844
e-mail
Ремонт телевизоров
На дому у заказчика. Качество.
8-914-774-0382
(LG,GoldStar,AVEST и др.)
Статистика
» Витрина » Радиодетали » Транзисторы » П307В
П307В  П307, П307В, П308, П309 Транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ = 20 В, IЭ = 4 мА не менее — 20 МГц Входное сопротивление при UКБ = 20 В, IЭ = 10 мА не более — 70 Ом Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при IЭ = 10 мА, UКБ = 20 В: П307, П309 — 20-60 П307В — 50-150 П308 — 30-90 Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер при IК = 15 мА, IБ = 3 мА не более: при Т = 298 К: П307 — 100 Ом П307В, П308, П309 — 130 Ом при Т = 398 К — 240 Ом Обратный ток коллектора при UКБ = UКБмакс не более — 3 мкА Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ = UКЭмакс, RЭБ = 10 кОм не более: при Т = 298 К — 20 мкА при Т = 393 К — 200 мкА Обратный ток эмиттера при UЭБ = 3 В не более: при Т = 298 К — 5 мкА при Т = 393 К — 15 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при RЭБ ≤ 10 кОм: П307, П307В — 80 В П308, П309 — 120 В Постоянный ток коллектора — 30 мА Импульсный ток коллектора при τи ≤ 1 мкс, Q ≥ 10 — 120 мА Постоянная рассеиваемая мощность: при Т ≤ 293 К — 250 мВт при Т = 373 К — 150 мВт при Т = 393 К — 100 мВт Температура перехода — 423 К Общее тепловое сопротивление: при Т ≤ 373 К — 0,8 К/мВт при Т ≥ 373 К — 0,4 К/мВт Температура окружающей среды — от 213 до 393 К Примечание: Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Пайку производить паяльником при Т ≤ 533 К в течение не более 10 с. Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса, при этом должны быть приняты меры предосторожности, обеспечивающие неподвижность вывода между изгибом и стеклянным изолятором, чтобы не произошло нарушения спая выводов со стеклянным изолятором, ведущего к потере герметичности транзистора. | |
 | |
| Просмотров: 3235 | |
