Понедельник, 06.05.2024, 13:29
Главная Регистрация RSS
Приветствую Вас, Гость
поиск
погода
Форма входа

Телефоны

"Антенна Плюс"
ул.Кирова,28

8-924-415-0506

Специалист по радиодеталям
доставка под заказ
8-914-183-0844

Бухгалтер
8-914-178-1789

WhatsApp

 +7-914-178-1789 

 +7-914-183-0844 

 

e-mail



Ремонт телевизоров

На дому у заказчика. Качество.

8-914-774-0382 (LG,GoldStar,AVEST и др.)

Статистика
» Витрина » Радиодетали » Транзисторы » П217
П217



П217
Транзисторы П217 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: СИ3.365.017ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П217:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом
Просмотров: 256