МЕНЮ САЙТА
Категории раздела
поиск
Форма входа
.
Телефоны
"Антенна Плюс"
ул.Кирова,28
8-924-415-0506
Специалист по радиодеталям
доставка под заказ
8-914-183-0844
Бухгалтер
8-914-178-1789
WhatsApp
+7-914-178-1789
+7-914-183-0844
e-mail
Ремонт телевизоров
На дому у заказчика. Качество.
8-914-774-0382 (LG,GoldStar,AVEST и др.)
» Витрина » Радиодетали » Транзисторы » П217
П217 П217 Транзисторы П217 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Технические условия: СИ3.365.017ТУ. Основные технические характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом | |
Просмотров: 304 | |