МЕНЮ САЙТА
Категории раздела
поиск
погода
|
Форма входа
Телефоны
"Антенна Плюс"
ул.Кирова,28
8-924-415-0506
Специалист по радиодеталям
доставка под заказ8-914-183-0844
Бухгалтер
8-914-178-1789
WhatsApp
+7-914-178-1789
+7-914-183-0844
e-mail
Ремонт телевизоров
На дому у заказчика. Качество.
8-914-774-0382
(LG,GoldStar,AVEST и др.)
Статистика
» Витрина » Радиодетали » Транзисторы » КТ827В
КТ827В n-p-n составной 80V 20A 125W kt-9  КТ827В Транзисторы КТ827В кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.356ТУ. Импортный аналог: 2N6057, 2N6282, BDX85, BDX85A, BDX87, BDX87A, MJ3000, MJ3520, MJ4033, 2N6057. Основные технические характеристики транзистора КТ827В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом | |
 | |
| Просмотров: 87 | |
