Пятница, 03.05.2024, 11:04
Главная Регистрация RSS
Приветствую Вас, Гость
поиск
погода
Форма входа

Телефоны

"Антенна Плюс"
ул.Кирова,28

8-924-415-0506

Специалист по радиодеталям
доставка под заказ
8-914-183-0844

Бухгалтер
8-914-178-1789

WhatsApp

 +7-914-178-1789 

 +7-914-183-0844 

 

e-mail



Ремонт телевизоров

На дому у заказчика. Качество.

8-914-774-0382 (LG,GoldStar,AVEST и др.)

Статистика
» Витрина » Радиодетали » Транзисторы » КТ812Б
КТ812Б



КТ812Б
Транзисторы КТ812Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9.
Технические условия: аА0.336.052 ТУ.

Характеристики транзистора КТ812Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 500 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 500 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(12000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>4
Обратный ток коллектора <=5000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2.5 дБ
Аналоги транзистора КТ812Б
2N5239, BU106, BU409, 2N6077, 2N6078, 2SC1114, 2SC1454, 2SC1617
Просмотров: 1818